LPCVD相关论文
本文主要对低压化学气相沉积（LPCVD）法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多......
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
低压化学气相沉积（Low Pressure Chernica.l Vapor Deposition.简称LPCVD）是半导体制造工业中常用的薄膜沉积手段而晶圆（waf er ）表面......
TOPCon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和......
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池由于其高效,成本低廉等优势受到广泛的关注.我们使用了一种低压化学气相沉积制备钙钛矿太阳能电池,......
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺......
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺......
石墨烯材料的发现使二维材料研究成为材料研究领域的前沿课题。目前发现的二维材料种类已达上百种之多正如石墨烯一样,大尺寸高质......
本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温......
多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学......
通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
Growth of SiCGe ternary alloy on 6H-SiC in a conventional hot-wall CVD system was initially studied. SiH4, GeH4 and C3H8......
用低压化学气相沉积法制备TiO2薄膜.研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响.在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火......
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几......
采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ......
